ELRA-T0096 Electrical Engineering (Universität Hildesheim) - SAMPLE

**

<Anlagedatum>19.12.1994 - 13:12:04

<Angelegt von>super

<Änderungsdatum>06.12.1995 - 00:43:47

<Geändert von>super

<Eintragsklasse>1

<Grafik>

<Eintragsnummer>63

<ESP>transistor de efecto de campo de puerta aislada

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Transistor de efecto de campo de puerta aislada (IG-FET) En los IG-FET, el control se produce mediante un campo eléctrico transversal, localizado entre el electrodo de control G, separado del canal mediante una capa aislante muy fina y de gran eficacia, y el substrato semiconductor. El citado campo afecta la conductividad y la sección del canal conductor.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<ESP>FET de puerta aislada

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-76/L

<ESP>transistor de efecto de campo con puerta aislada

<GRA>m.

<QUE>BAILE, F-J/80-207/L

<ESP>IGFET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-207/L

<ESP>IG-FET

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Transistor de efecto de campo de puerta aislada (IG-FET) En los IG-FET, el control se produce mediante un campo eléctrico transversal, localizado entre el electrodo de control G, separado del canal mediante una capa aislante muy fina y de gran eficacia, y el substrato semiconductor. El citado campo afecta la conductividad y la sección del canal conductor.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEU>Isolierschicht-Feldeffekttransistor

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, IG-FET ... Feldeffekttransistor, in dem das Steuerfeld mittels einer vom Kanal elektrisch isolierten Elektrode erzeugt wird. Das Steuerfeld beeinflußt Leitfähigkeit und Querschnitt des stromführenden Kanals.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEU>Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>WÜSTE,J/68-9/L

<DEU>IG-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, IG-FET ... Feldeffekttransistor, in dem das Steuerfeld mittels einer vom Kanal elektrisch isolierten Elektrode erzeugt wird.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEU>IGFET

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>PAUL,R/77-288/L

<DEU>Isolierschicht-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEF>IGFET. (engl. Insulated Gate Field Effect Transistor, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) (auch Isolierschicht-FET, Oberflächen-FET).

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEU>Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode

<GRA>m.

<QUE>D1N41858/73-1/N

<DEU>Feldeffekttransistor mit isolierter Feldelektrode

<GRA>m.

<QUE>PAUL,R/77-288/L

<DEU>Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode

<GRA>m.

<QUE>BÖHME,E/87-122/L

<DEU>Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEF>IGFET. (engl. Insulated Gate Field Effect Transistor, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) (auch Isolierschicht-FET, Oberflächen-FET). Feldeffekttransistor, bei dem die Leitfähigkeit eines stromführenden Kanals zwischen Source und Drain durch Ladungsträgerinfluenz zufolge eines senkrecht auf den Kanal auftreffenden elektrischen Feldes gesteuert wird. Das Steuerfeld entsteht durch eine Steuerspannung, die zwischen einem durch eine Isolatorschicht vom Kanal getrennten Gate und dem Kanal liegt.

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEU>Oberflächenfeldeffekttransistor

<GRA>m.

<QUE>JUNGE,H-D/78-184/E

<DEU>Oberflächen-Feldeffekt-Transistor

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEU>Oberflächen-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEF>IGFET. (engl. Insulated Gate Field Effect Transistor, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) (auch Isolierschicht-FET, Oberflächen-FET).

<QUE>SAUTT,D/90-360/E

<DEU>Isolier-Gate-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>HÄBER,H/84-198/L

<DEU>isolierter Feldeffekt-Transistor

<GRA>m.

<QUE>GATH,H/72-11/L

<DEU>IFET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>FRISC,H/81-124/L

<ANM>Die Abkürzung "IFET" wurde auch als Benennung für den Sperrschicht-Feldeffekttransistor gefunden (s. laufende Nummer ^ESP-061^).

<NOT>ESP-3.a.2

<NOT>ESP-6

<LFD>ESP-063

<LFD>ESP-118

<SGB>Bipolartransistor

<SGC>ET 010.004

<LEN>ELA

<AUT>ESP-B. Schroth

<BET>ESP-J. Arranz, R. Arntz

**

<Anlagedatum>19.12.1994 - 13:12:41

<Angelegt von>super

<Änderungsdatum>05.12.1995 - 23:45:33

<Geändert von>super

<Eintragsklasse>1

<Grafik>

<Eintragsnummer>78

<ESP>IGFET de enriquecimiento

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-127/L

<DEF>En los IGFET de enriquecimiento no existe continuidad eléctrica sin tensión de puerta.

<QUE>BAILE,F-J/80-127/L

<ESP>IG-FET de enriquecimiento

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Si con tensión de puerta nula, el canal carece prácticamente de conductividad, y al aplicar una tensión de puerta de polaridad adecuada el canal parte a conducir desde un valor umbral, se dice que el transistor es del tipo IG-FET de enriquecimiento o IG-FET de autobloqueo.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<ESP>IGFET del tipo de enriquecimiento

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-121/L

<ESP>FET de enriquecimiento

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-124/L

<ESP>IG-FET de autobloqueo

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Si con tensión de puerta nula, el canal carece prácticamente de conductividad, y al aplicar una tensión de puerta de polaridad adecuada el canal parte a conducir desde un valor umbral, se dice que el transistor es del tipo IG-FET de enriquecimiento o IG-FET de autobloqueo.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<ESP>elemento normalmente abierto

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-124/L

<KON>Obsérvese que la situación es contraria a la del FET de enriquecimento y por ello pueden denominarse elementos normalmente cerrados a los de empobrecimiento y normalmente abiertos a los IGFET de enriquecimento.

<QUE>BAILE,F-J/80-124/L

<ABB>BAILE,F-J/80-122/L

<DEU>Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Anreicherungs-IG-FET ... Isolierschicht-Feldeffekttransistor, der bei der Gatespannung Null praktisch keine Leitfähigkeit besitzt und der durch Anlegen einer Gatespannung geeigneter Polarität von einem Schwellenwert an leitend wird (nur Anreicherungsbetrieb möglich).

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEU>Anreicherungs-IG-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Anreicherungs-IG-FET ... Isolierschicht-Feldeffekttransistor, der bei der Gatespannung Null praktisch keine Leitfähigkeit besitzt und der durch Anlegen einer Gatespannung geeigneter Polarität von einem Schwellenwert an leitend wird (nur Anreicherungsbetrieb möglich).

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEU>Anreicherungs-Feldeffekttransistor

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-216/E

<DEU>Anreicherungs-IFET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>FRISC,H/81-126/L

<DEU>Anreicherungs-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>EYDAM,E/88-57/H

<DEU>selbstsperrender IG-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/77-141/L

<DEF>Besitzt der Kanal bei der Gatespannung Null praktisch keine Leitfähigkeit und wird er erst bei Anlegen einer Gatespannung geeigneter Polarität von einem Schnellwert [sic] an leitend, so spricht man von einem Anreicherungs-IG-FET ... oder von einem selbstsperrenden IG-FET.

<QUE>LEHMA,J-G/77-141/L

<DEU>selbstsperrender FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEF>Im Ruhezustand ist der Kanal nicht leitend. Er wird beim Erregungstyp erst leitend, wenn eine Steuerspannung angelegt wird. Steigerungstypen werden deshalb auch als selbstsperrende FET bezeichnet.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEU>Enhancement-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-216/E

<KON>Enhancement-FET. Anreicherungs-Feldeffekttransistor, gleichwertig Normally-off-Transistor (engl. normally off = selbstsperrend). Steuermodus des Feldeffekttransistors. MOS-Feldeffekttransistor, der bei einer Gate-Sourcespannung von Null keinen leitenden Kanal zwischen Source und Drain besitzt.

<QUE>SAUTT,D/90-216/E

<DEU>Normally-off-Transistor

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-216/E

<DEF>Enhancement-FET. Anreicherungs-Feldeffekttransistor, gleichwertig Normally-off-Transistor (engl. normally off = selbstsperrend). Steuermodus des Feldeffekttransistors. MOS-Feldeffekttransistor, der bei einer Gate-Sourcespannung von Null keinen leitenden Kanal zwischen Source und Drain besitzt.

<QUE>SAUTT,D/90-216/E

<DEU>Transistor mit stromsteigernder Steuerung

<GRA>m.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEF>Bei der einen Art (enhancement type, Anreicherungs-Typ, Transistor mit stromsteigernder Steuerung) kann nur dann ein Strom von der Quelle zur Senke fließen, wenn neben der Spannung Senke gegen Quelle eine Spannung geeigneter Polarität am Tor-Anschluß liegt.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEU>Anreicherungstyp

<GRA>m.

<QUE>KADEN,H-E/74-82/L

<DEU>Anreicherungs-Typ

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEF>Bei der einen Art (enhancement type, Anreicherungs-Typ, Transistor mit stromsteigernder Steuerung) kann nur dann ein Strom von der Quelle zur Senke fließen, wenn neben der Spannung Senke gegen Quelle eine Spannung geeigneter Polarität am Tor-Anschluß liegt.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEU>Erregungstyp

<GRA>m.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEF>Im Ruhezustand ist der Kanal nicht leitend. Er wird beim Erregungstyp erst leitend, wenn eine Steuerspannung angelegt wird. Steigerungstypen werden deshalb auch als selbstsperrende FET bezeichnet.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEU>Steigerungstyp

<GRA>m.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEF>Im Ruhezustand ist der Kanal nicht leitend. Er wird beim Erregungstyp erst leitend, wenn eine Steuerspannung angelegt wird. Steigerungstypen werden deshalb auch als selbstsperrende FET bezeichnet.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<NOT>ESP-3.c.2

<LFD>ESP-078

<SGB>Bipolartransistor

<SGC>ET 010.004

<LEN>ELA

<AUT>ESP-B. Schroth

<BET>ESP-J. Arranz, R. Arntz

**

<Anlagedatum>19.12.1994 - 13:12:45

<Angelegt von>super

<Änderungsdatum>05.12.1995 - 23:50:04

<Geändert von>super

<Eintragsklasse>1

<Grafik>

<Eintragsnummer>79

<ESP>IGFET de empobrecimiento

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-127/L

<DEF>En los IGFET de empobrecimiento existe continuidad eléctrica entre fuente y sumidero si no hay tensión de puerta.

<QUE>BAILE,F-J/80-127/L

<ESP>IG-FET de empobrecimiento

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Pero si con tensión de puerta nula el canal es conductor, la conductividad del canal puede aumentarse o disminuirse, de acuerdo con su polaridad, llamándose estos transistores IG-FET de empobrecimiento o IG-FET de autoconducción.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<ESP>IGFET del tipo de empobrecimiento

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-123/L

<ESP>transistor de efecto de campo de modo de empobrecimiento

<GRA>m.

<QUE>MCGRAW/81-2037/E

<ESP>IG-FET de autoconducción

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<DEF>Pero si con tensión de puerta nula el canal es conductor, la conductividad del canal puede aumentarse o disminuirse, de acuerdo con su polaridad, llamándose estos transistores IG-FET de empobrecimiento o IG-FET de autoconducción.

<QUE>LEHMA,J-G/81-164/L

<ESP>elemento normalmente cerrado

<GRA>m.

<QUE>BAILE,F-J/80-124/L

<KON>Obsérvese que la situación es contraria a la del FET de enriquecimento y por ello pueden denominarse elementos normalmente cerrados a los de empobrecimiento y normalmente abiertos a los IGFET de enriquecimento.

<QUE>BAILE,F-J/80-124/L

<ABB>BAILE,F-J/80-125/L

<DEU>Verarmungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor

<STA>VZB

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Verarmungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Verarmungs-IG-FET ...

Isolierschicht-Feldeffekttransistor, der bei der Gatespannung Null eine beträchtliche Leitfähigkeit aufweist und dessen Leitwert entsprechend der Polarität mit der Gatespannung zunimmt (Anreicherungsbetrieb) oder abnimmt (Verarmungsbetrieb).

Bei den derzeit gebräuchlichen Verarmungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren wird vorzugsweise in Richtung abnehmender Leitwerte gesteuert (Verarmungsbetrieb).

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEU>Verarmungs-IG-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>DIN 41858/73-1/N

<DEF>Verarmungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Verarmungs-IG-FET ...

<DEF>DIN 41858/73-1/N

<DEU>Verarmungs-IFET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>FRISC,H/81-127/L

<DEU>Verarmungstyp-IFET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>FRISC,H/81-125/L

<DEU>Verarmungs-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>HÄBER,H/84-199/L

<DEU>selbstleitender IG-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>LEHMA,J-G/77-141/L

<DEF>Weist der Kanal dagegen bereits bei der Gatespannung Null eine nennenswerte Leitfähigkeit auf, so kann die Leitfähigkeit durch die Gatespannung je nach ihrer Polarität vergrößert oder verkleinert werden. Da bei den Anwendungen vorzugsweise in Richtung abnehmender Leitfähigkeit gesteuert wird, wählte man die Bezeichnung Verarmungs-IG-FET ... oder selbstleitender IG-FET.

<QUE>LEHMA,J-G/77-141/L

<DEU>selbstleitender FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>HÄBER,H/84-199/L

<DEU>Depletion-FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-122/E

<DEF>Depletion-FET. ..., gleichwertig Normally-on-Transistor (engl. normally-on, selbstleitend). Feldeffekttransistor, der bei einer Gate-Source-Spannung von Null einen maximal leitenden Kanal zwischen Source und Drain besitzt.

<QUE>SAUTT,D/90-122/E

<DEU>Normally-on-Transisitor

<GRA>m.

<QUE>SAUTT,D/90-l22/E

<DEF>Depletion-FET. ..., gleichwertig Normally-on-Transistor (engl. normally-on, selbstleitend). Feldeffekttransistor, der bei einer Gate-Source-Spannung von Null einen maximal leitenden Kanal zwischen Source und Drain besitzt.

<QUE>SAUTT,D/90-l22/E

<DEU>Transistor mit stromdrosselnder Steuerung

<GRA>m.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEF>Bei der zweiten Art (depletion type, Verarmungs-Typ, Transistor mit stromdrosselnder Steuerung) fließt auch ein Strom von der Quelle zur Senke, wenn nur eine Spannung Quelle gegen Senke, also keine Spannung am Tor-Anschluß liegt.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEU>stromdrosselnder FET

<STA>ABK

<GRA>m.

<QUE>WILLE,H/79-274/L

<DEU>Verarmungstyp

<GRA>m.

<QUE>BEUTH,K/78-188/L

<DEU>Verarmungs-Typ

<STA>SCH

<GRA>m.

<QUE>TELEF/65-178/E

<DEF>Bei der zweiten Art (depletion type, Verarmungs-Typ, Transistor mit stromdrosselnder Steuerung) fließt auch ein Strom von der Quelle zur Senke, wenn nur eine Spannung Quelle gegen Senke, also keine Spannung am Tor-Anschluß liegt.

<QUE>TELEF/65-178/E

<NOT>ESP-3.c.3

<LFD>ESP-079

<SGB>Bipolartransistor

<SGC>ET 010.004

<LEN>ELA

<AUT>ESP-B. Schroth

<BET>ESP-J. Arranz, R. Arntz